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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelZXMN10B08E6TA
ZXMN10B08E6TA Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

ZXMN10B08E6TA - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
ZXMN10B08E6TA
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-ZXMN10B08E6TA
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-6
Datenblatt
ZXMN10B08E6.pdf
RoHS Status
vorrätig: 97310

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Anzahl

Spezifikation

ZXMN10B08E6TA Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - ZXMN10B08E6TA Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - ZXMN10B08E6TA

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-26  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 230mOhm @ 1.6A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.1W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 497 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.2 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.3V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.6A (Ta)  
Grundproduktnummer ZXMN10  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated ZXMN10B08E6TA.

Produkteigenschaften ZXMN10B08E6TA ZXMN10B08E6QTA ZXMN10A25K ZXMN2069FTA
Artikelnummer ZXMN10B08E6TA ZXMN10B08E6QTA ZXMN10A25K ZXMN2069FTA
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.2 nC @ 10 V 9.2 nC @ 10 V 17.16 nC @ 10 V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.6A (Ta) 1.6A (Ta) 4.2A (Ta) 1.4A (Ta)
Supplier Device-Gehäuse SOT-26 SOT-26 TO-252-3 SOT-23-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.3V, 10V 4.3V, 10V 6V, 10V -
Grundproduktnummer ZXMN10 - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Verlustleistung (max) 1.1W (Ta) 1.1W (Ta) 2.11W (Ta) -
Serie - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA -
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 SOT-23-6 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 230mOhm @ 1.6A, 10V 230mOhm @ 1.6A, 10V 125mOhm @ 2.9A, 10V -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 497 pF @ 50 V 497 pF @ 50 V 859 pF @ 50 V -
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

ZXMN10B08E6TA Datenblatt PDF

Laden Sie ZXMN10B08E6TA PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für ZXMN10B08E6TA - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Andere
Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Leadframe Material Update 09/Apr/2014.pdf Date Code Mark Update 13/Jan/2015.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Datenblätter
ZXMN10B08E6.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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