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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelZXMN15A27KTC
ZXMN15A27KTC Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

ZXMN15A27KTC - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
ZXMN15A27KTC
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-ZXMN15A27KTC
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 1.7A TO252-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
ZXMN15A27K.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3680

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Anzahl

Spezifikation

ZXMN15A27KTC Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - ZXMN15A27KTC Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - ZXMN15A27KTC

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650mOhm @ 2.15A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.2W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 169 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.6 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.7A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated ZXMN15A27KTC.

Produkteigenschaften ZXMN15A27KTC ZXMN10B08E6QTA ZXMN2A01FTC ZXMN10A25GTA
Artikelnummer ZXMN15A27KTC ZXMN10B08E6QTA ZXMN2A01FTC ZXMN10A25GTA
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650mOhm @ 2.15A, 10V 230mOhm @ 1.6A, 10V 120mOhm @ 4A, 4.5V 125mOhm @ 2.9A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 169 pF @ 25 V 497 pF @ 50 V 303 pF @ 15 V 859 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.6 nC @ 10 V 9.2 nC @ 10 V 3 nC @ 4.5 V 17 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3V @ 250µA 700mV @ 250µA (Min) 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V ±20V ±12V ±20V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.3V, 10V 2.5V, 4.5V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 SOT-23-6 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-261-4, TO-261AA
Supplier Device-Gehäuse TO-252-3 SOT-26 SOT-23-3 SOT-223-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.7A (Ta) 1.6A (Ta) 1.9A (Ta) 2.9A (Ta)
Verlustleistung (max) 2.2W (Ta) 1.1W (Ta) 625mW (Ta) 2W (Ta)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 100 V 20 V 100 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

ZXMN15A27KTC Datenblatt PDF

Laden Sie ZXMN15A27KTC PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für ZXMN15A27KTC - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Andere
Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices EOL 05/Feb/2019.pdf
Datenblätter
ZXMN15A27K.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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