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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelZXMN3A02N8TA
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

ZXMN3A02N8TA - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
ZXMN3A02N8TA
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-ZXMN3A02N8TA
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
ZXMN3A02N8TA.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4300

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Anzahl

Spezifikation

ZXMN3A02N8TA Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - ZXMN3A02N8TA Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - ZXMN3A02N8TA

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 12A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.56W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26.8 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.3A (Ta)  
Grundproduktnummer ZXMN3  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated ZXMN3A02N8TA.

Produkteigenschaften ZXMN3A02N8TA ZXMN3A01E6TA ZXMN3A01FTC ZXMN3A02X8TA
Artikelnummer ZXMN3A02N8TA ZXMN3A01E6TA ZXMN3A01FTC ZXMN3A02X8TA
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.3A (Ta) 2.4A (Ta) 1.8A (Ta) 5.3A (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26.8 nC @ 10 V 3.9 nC @ 10 V 3.9 nC @ 10 V 26.8 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) SOT-23-6 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Supplier Device-Gehäuse 8-SO SOT-23-6 SOT-23-3 8-MSOP
Serie - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verlustleistung (max) 1.56W (Ta) 1.1W (Ta) 625mW (Ta) 1.1W (Ta)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 12A, 10V 120mOhm @ 2.5A, 10V 120mOhm @ 2.5A, 10V 25mOhm @ 12A, 10V
Grundproduktnummer ZXMN3 ZXMN3 ZXMN3 ZXMN3
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V 190 pF @ 25 V 190 pF @ 25 V 1400 pF @ 25 V

ZXMN3A02N8TA Datenblatt PDF

Laden Sie ZXMN3A02N8TA PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für ZXMN3A02N8TA - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Device EOL 3/Jan/2017.pdf
Datenblätter
ZXMN3A02N8TA.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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