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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysZXMN3A04DN8TA
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

ZXMN3A04DN8TA - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
ZXMN3A04DN8TA
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-ZXMN3A04DN8TA
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
ZXMN3A04DN8.pdf
RoHS Status
vorrätig: 28058

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Anzahl

Spezifikation

ZXMN3A04DN8TA Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - ZXMN3A04DN8TA Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - ZXMN3A04DN8TA

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 12.6A, 10V  
Leistung - max 1.81W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1890pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36.8nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.5A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer ZXMN3  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated ZXMN3A04DN8TA.

Produkteigenschaften ZXMN3A04DN8TA ZXMN3A06DN8TA ZXMN3A04DN8TC ZXMN3A06DN8TC
Artikelnummer ZXMN3A04DN8TA ZXMN3A06DN8TA ZXMN3A04DN8TC ZXMN3A06DN8TC
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Leistung - max 1.81W 1.8W 1.81W 1.8W
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1890pF @ 15V 796pF @ 25V 1890pF @ 15V 796pF @ 25V
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36.8nC @ 10V 17.5nC @ 10V 36.8nC @ 10V 17.5nC @ 10V
Grundproduktnummer ZXMN3 ZXMN3 ZXMN3 ZXMN3
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.5A 4.9A 6.5A 4.9A
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) 1V @ 250µA (Min) 1V @ 250µA (Min) 1V @ 250µA (Min)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 12.6A, 10V 35mOhm @ 9A, 10V 20mOhm @ 12.6A, 10V 35mOhm @ 9A, 10V
Serie - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 30V 30V

ZXMN3A04DN8TA Datenblatt PDF

Laden Sie ZXMN3A04DN8TA PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für ZXMN3A04DN8TA - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Datenblätter
ZXMN3A04DN8.pdf

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Lieferzeit

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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