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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelZXMN3A04KTC
ZXMN3A04KTC Image
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ZXMN3A04KTC - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
ZXMN3A04KTC
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-ZXMN3A04KTC
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-UDFN Exposed Pad
Datenblatt
ZXMN3A04KTC.pdf
RoHS Status
vorrätig: 56710

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Anzahl

Spezifikation

ZXMN3A04KTC Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - ZXMN3A04KTC Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - ZXMN3A04KTC

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse U-DFN2020-6 (Type B)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 12A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.15W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 6-UDFN Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1890 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36.8 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Ta)  
Grundproduktnummer ZXMN3  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated ZXMN3A04KTC.

Produkteigenschaften ZXMN3A04KTC ZXMN3A14FTA ZXMN3A03E6TA ZXMN3A14FQTA
Artikelnummer ZXMN3A04KTC ZXMN3A14FTA ZXMN3A03E6TA ZXMN3A14FQTA
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1890 pF @ 15 V 448 pF @ 15 V 600 pF @ 25 V 448 pF @ 15 V
Grundproduktnummer ZXMN3 ZXMN3 ZXMN3 ZXMN3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36.8 nC @ 10 V 8.6 nC @ 10 V 12.6 nC @ 10 V 8.6 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 2.15W (Ta) 1W (Ta) 1.1W (Ta) 1.5W (Ta)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250mA 2.2V @ 250µA 1V @ 250µA 2.2V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse 6-UDFN Exposed Pad TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-6 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device-Gehäuse U-DFN2020-6 (Type B) SOT-23-3 SOT-23-6 SOT-23-3
Serie Automotive, AEC-Q101 - - Automotive, AEC-Q101
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 12A, 10V 65mOhm @ 3.2A, 10V 50mOhm @ 7.8A, 10V 65mOhm @ 3.2A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Ta) 3.2A (Ta) 3.7A (Ta) 3.9A (Ta)

ZXMN3A04KTC Datenblatt PDF

Laden Sie ZXMN3A04KTC PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für ZXMN3A04KTC - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Datenblätter
ZXMN3A04KTC.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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