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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelZXMN6A09KTC
ZXMN6A09KTC Image
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ZXMN6A09KTC - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
ZXMN6A09KTC
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-ZXMN6A09KTC
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 7.7A TO252-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
ZXMN6A09KTC.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3830

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Anzahl

Spezifikation

ZXMN6A09KTC Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - ZXMN6A09KTC Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - ZXMN6A09KTC

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 7.3A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.15W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1426 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.7A (Ta)  
Grundproduktnummer ZXMN6  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated ZXMN6A09KTC.

Produkteigenschaften ZXMN6A09KTC ZXMN6A09GTA ZXMN6A08KTC ZXMN6A11GTA
Artikelnummer ZXMN6A09KTC ZXMN6A09GTA ZXMN6A08KTC ZXMN6A11GTA
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Supplier Device-Gehäuse TO-252-3 SOT-223-3 TO-252-3 SOT-223-3
Verlustleistung (max) 2.15W (Ta) 2W (Ta) 2.12W (Ta) 2W (Ta)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 7.3A, 10V 40mOhm @ 8.2A, 10V 80mOhm @ 4.8A, 10V 120mOhm @ 2.5A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Serie - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.7A (Ta) 5.4A (Ta) 5.36A (Ta) 3.1A (Ta)
Grundproduktnummer ZXMN6 ZXMN6 ZXMN6 ZXMN6
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-261-4, TO-261AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-261-4, TO-261AA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1426 pF @ 30 V 1407 pF @ 40 V 459 pF @ 40 V 330 pF @ 40 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V 24.2 nC @ 5 V 5.8 nC @ 10 V 5.7 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V

ZXMN6A09KTC Datenblatt PDF

Laden Sie ZXMN6A09KTC PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für ZXMN6A09KTC - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Datenblätter
ZXMN6A09KTC.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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