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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysZXMN6A11DN8TC
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

ZXMN6A11DN8TC - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
ZXMN6A11DN8TC
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-ZXMN6A11DN8TC
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
ZXMN6A11DN8.pdf
vorrätig: 5190

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Anzahl

Spezifikation

ZXMN6A11DN8TC Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - ZXMN6A11DN8TC Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - ZXMN6A11DN8TC

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 2.5A, 10V  
Leistung - max 1.8W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 40V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.7nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.5A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer ZXMN6  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated ZXMN6A11DN8TC.

Produkteigenschaften ZXMN6A11DN8TC ZXMN6A25DN8TA ZXMN6A11DN8TA ZXMN6A11G
Artikelnummer ZXMN6A11DN8TC ZXMN6A25DN8TA ZXMN6A11DN8TA ZXMN6A11G
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Serie - - - -
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V 60V 60V -
Leistung - max 1.8W 1.8W 1.8W -
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 2.5A, 10V 50mOhm @ 3.6A, 10V 120mOhm @ 2.5A, 10V -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Grundproduktnummer ZXMN6 ZXMN6 ZXMN6 -
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO -
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) 1V @ 250µA (Min) 1V @ 250µA (Min) -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.7nC @ 10V 20.4nC @ 10V 5.7nC @ 10V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.5A 3.8A 2.5A -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 40V 1063pF @ 30V 330pF @ 40V -

ZXMN6A11DN8TC Datenblatt PDF

Laden Sie ZXMN6A11DN8TC PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für ZXMN6A11DN8TC - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Datenblätter
ZXMN6A11DN8.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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