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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelZXMP10A16KTC
ZXMP10A16KTC Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

ZXMP10A16KTC - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
ZXMP10A16KTC
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-ZXMP10A16KTC
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 100V 3A TO252-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
ZXMP10A16K.pdf
RoHS Status
vorrätig: 80220

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Anzahl

Spezifikation

ZXMP10A16KTC Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - ZXMP10A16KTC Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - ZXMP10A16KTC

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 235mOhm @ 2.1A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.15W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 717 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.5 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Ta)  
Grundproduktnummer ZXMP10  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated ZXMP10A16KTC.

Produkteigenschaften ZXMP10A16KTC ZXMN7A11KTC ZXMP10A17KTC ZXMP10A13FQTA
Artikelnummer ZXMP10A16KTC ZXMN7A11KTC ZXMP10A17KTC ZXMP10A13FQTA
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V 6V, 10V
Typ FET P-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Supplier Device-Gehäuse TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3 SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.5 nC @ 10 V 7.4 nC @ 10 V 10.7 nC @ 10 V 1.8 nC @ 5 V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Serie - - - Automotive, AEC-Q101
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 717 pF @ 50 V 298 pF @ 40 V 424 pF @ 50 V 141 pF @ 50 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 1V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 235mOhm @ 2.1A, 10V 130mOhm @ 4.4A, 10V 350mOhm @ 1.4A, 10V 1Ohm @ 600mA, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer ZXMP10 ZXMN7A11 ZXMP10 ZXMP10
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 70 V 100 V 100 V
Verlustleistung (max) 2.15W (Ta) 2.11W (Ta) 2W (Ta) 625mW (Ta)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Ta) 4.2A (Ta) 2.4A (Ta) 600mA (Ta)

ZXMP10A16KTC Datenblatt PDF

Laden Sie ZXMP10A16KTC PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für ZXMP10A16KTC - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Andere
Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Die Layer Add 30/Nov/2018.pdf
Datenblätter
ZXMP10A16K.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-ZXMP10A16KTC

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