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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelZXMP10A17GQTA
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

ZXMP10A17GQTA - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
ZXMP10A17GQTA
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-ZXMP10A17GQTA
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 100V 2.4A SOT223
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt
ZXMP10A17GQ.pdf
RoHS Status
vorrätig: 76140

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Anzahl

Spezifikation

ZXMP10A17GQTA Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - ZXMP10A17GQTA Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - ZXMP10A17GQTA

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-223-3  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 1.4A, 10V  
Verlustleistung (max) 2W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 424 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.7 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.4A (Ta)  
Grundproduktnummer ZXMP10  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated ZXMP10A17GQTA.

Produkteigenschaften ZXMP10A17GQTA ZXMP10A13FTA ZXMP10A17E6QTA ZXMN7A11KTC
Artikelnummer ZXMP10A17GQTA ZXMP10A13FTA ZXMP10A17E6QTA ZXMN7A11KTC
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 1.4A, 10V 1Ohm @ 600mA, 10V 350mOhm @ 1.4A, 10V 130mOhm @ 4.4A, 10V
Verlustleistung (max) 2W (Ta) 625mW (Ta) 1.1W (Ta) 2.11W (Ta)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie Automotive, AEC-Q101 - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V 4.5V, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 1V @ 250µA
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V 70 V
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 424 pF @ 50 V 141 pF @ 50 V 424 pF @ 50 V 298 pF @ 40 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer ZXMP10 ZXMP10 ZXMP10 ZXMN7A11
Supplier Device-Gehäuse SOT-223-3 SOT-23-3 SOT-26 TO-252-3
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.7 nC @ 10 V 3.5 nC @ 10 V 10.7 nC @ 10 V 7.4 nC @ 10 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.4A (Ta) 600mA (Ta) 1.3A (Ta) 4.2A (Ta)
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-6 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

ZXMP10A17GQTA Datenblatt PDF

Laden Sie ZXMP10A17GQTA PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für ZXMP10A17GQTA - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
ZXMPYYY 17/Apr/2019.pdf
Datenblätter
ZXMP10A17GQ.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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