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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelEPC2001C
EPC
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

EPC2001C - EPC

Hersteller Artikelnummer
EPC2001C
Hersteller
EPC
Allelco Artikelnummer
32D-EPC2001C
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
detaillierte Beschreibung
Verpackung
Die
Datenblatt
EPC2001C.pdf
RoHS Status
vorrätig: 11568

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Anzahl

Spezifikation

EPC2001C Tech -Spezifikationen
EPC - EPC2001C Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie EPC - EPC2001C

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller EPC  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 5mA  
Vgs (Max) +6V, -4V  
Technologie GaNFET (Gallium Nitride)  
Supplier Device-Gehäuse Die  
Serie eGaN®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 25A, 5V  
Verlustleistung (max) -  
Verpackung / Gehäuse Die  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 36A (Ta)  
Grundproduktnummer EPC20  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie EPC EPC2001C.

Produkteigenschaften EPC2001C EPC2016C EPC2038 EPC2024
Artikelnummer EPC2001C EPC2016C EPC2038 EPC2024
Hersteller EPC EPC EPC EPC
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse Die Die Die Die
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) +6V, -4V +6V, -4V +6V, -4V +6V, -4V
Serie eGaN® eGaN® eGaN® eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 25A, 5V 16mOhm @ 11A, 5V 3.3Ohm @ 50mA, 5V 1.5mOhm @ 37A, 5V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 36A (Ta) 18A (Ta) 500mA (Ta) 90A (Ta)
Technologie GaNFET (Gallium Nitride) GaNFET (Gallium Nitride) GaNFET (Gallium Nitride) GaNFET (Gallium Nitride)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 50 V 420 pF @ 50 V 8.4 pF @ 50 V 2100 pF @ 20 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 5 V 4.5 nC @ 5 V 0.044 nC @ 5 V -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V 5V 5V 5V
Verpackung / Gehäuse Die Die Die Die
Grundproduktnummer EPC20 EPC20 EPC20 EPC20
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 5mA 2.5V @ 3mA 2.5V @ 20µA 2.5V @ 19mA
Verlustleistung (max) - - - -
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V 40 V

EPC2001C Datenblatt PDF

Laden Sie EPC2001C PDF -Datenblätter und EPC -Dokumentation für EPC2001C - EPC herunter.

Umweltinformationen
EPC REACH.pdf EPC RoHS & Halogen Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Site 25/Jun/2021.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mfg Process Update 29/Mar/2016.pdf
Datenblätter
EPC2001C.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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