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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelEPC2016C
EPC
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

EPC2016C - EPC

Hersteller Artikelnummer
EPC2016C
Hersteller
EPC
Allelco Artikelnummer
32D-EPC2016C
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
GANFET N-CH 100V 18A DIE
detaillierte Beschreibung
Verpackung
Die
Datenblatt
EPC2016C.pdf
RoHS Status
vorrätig: 31351

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Anzahl

Spezifikation

EPC2016C Tech -Spezifikationen
EPC - EPC2016C Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie EPC - EPC2016C

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller EPC  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 3mA  
Vgs (Max) +6V, -4V  
Technologie GaNFET (Gallium Nitride)  
Supplier Device-Gehäuse Die  
Serie eGaN®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 11A, 5V  
Verlustleistung (max) -  
Verpackung / Gehäuse Die  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 420 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.5 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Ta)  
Grundproduktnummer EPC20  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie EPC EPC2016C.

Produkteigenschaften EPC2016C EPC2024 EPC2015 EPC2039
Artikelnummer EPC2016C EPC2024 EPC2015 EPC2039
Hersteller EPC EPC EPC EPC
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 40 V 40 V 80 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V 5V 5V 5V
Vgs (Max) +6V, -4V +6V, -4V +6V, -5V +6V, -4V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 11A, 5V 1.5mOhm @ 37A, 5V 4mOhm @ 33A, 5V 25mOhm @ 6A, 5V
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 3mA 2.5V @ 19mA 2.5V @ 9mA 2.5V @ 2mA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse Die Die Die Die
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Ta) 90A (Ta) 33A (Ta) 6.8A (Ta)
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie GaNFET (Gallium Nitride) GaNFET (Gallium Nitride) GaNFET (Gallium Nitride) GaNFET (Gallium Nitride)
Verpackung / Gehäuse Die Die Die Die
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.5 nC @ 5 V - 11.6 nC @ 5 V 2.4 nC @ 5 V
Serie eGaN® eGaN® eGaN® eGaN®
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 420 pF @ 50 V 2100 pF @ 20 V 1200 pF @ 20 V 210 pF @ 40 V
Grundproduktnummer EPC20 EPC20 EPC20 EPC20
Verlustleistung (max) - - - -

EPC2016C Datenblatt PDF

Laden Sie EPC2016C PDF -Datenblätter und EPC -Dokumentation für EPC2016C - EPC herunter.

Umweltinformationen
EPC REACH.pdf EPC RoHS & Halogen Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Site 25/Jun/2021.pdf
Datenblätter
EPC2016C.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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