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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelEPC2203
EPC
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

EPC2203 - EPC

Hersteller Artikelnummer
EPC2203
Hersteller
EPC
Allelco Artikelnummer
32D-EPC2203
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
GANFET N-CH 80V 1.7A DIE
detaillierte Beschreibung
Verpackung
Die
Datenblatt
EPC2203.pdf
RoHS Status
vorrätig: 85420

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Anzahl

Spezifikation

EPC2203 Tech -Spezifikationen
EPC - EPC2203 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie EPC - EPC2203

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller EPC  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 600µA  
Vgs (Max) +5.75V, -4V  
Technologie GaNFET (Gallium Nitride)  
Supplier Device-Gehäuse Die  
Serie Automotive, AEC-Q101, eGaN®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 1A, 5V  
Verlustleistung (max) -  
Verpackung / Gehäuse Die  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 88 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.83 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.7A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie EPC EPC2203.

Produkteigenschaften EPC2203 EPC2206 EPC2019 EPC2038
Artikelnummer EPC2203 EPC2206 EPC2019 EPC2038
Hersteller EPC EPC EPC EPC
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.83 nC @ 5 V 19 nC @ 5 V 2.9 nC @ 5 V 0.044 nC @ 5 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V 80 V 200 V 100 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 88 pF @ 50 V 1940 pF @ 40 V 288 pF @ 100 V 8.4 pF @ 50 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V 5V 5V 5V
Supplier Device-Gehäuse Die Die Die Die
Verlustleistung (max) - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.7A (Ta) 90A (Ta) 8.5A (Ta) 500mA (Ta)
Technologie GaNFET (Gallium Nitride) GaNFET (Gallium Nitride) GaNFET (Gallium Nitride) GaNFET (Gallium Nitride)
Verpackung / Gehäuse Die Die Die Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 1A, 5V 2.2mOhm @ 29A, 5V 42mOhm @ 7A, 5V 3.3Ohm @ 50mA, 5V
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 600µA 2.5V @ 13mA 2.5V @ 1.5mA 2.5V @ 20µA
Serie Automotive, AEC-Q101, eGaN® eGaN® eGaN® eGaN®
Vgs (Max) +5.75V, -4V +6V, -4V +6V, -4V +6V, -4V

EPC2203 Datenblatt PDF

Laden Sie EPC2203 PDF -Datenblätter und EPC -Dokumentation für EPC2203 - EPC herunter.

Umweltinformationen
EPC REACH.pdf EPC RoHS & Halogen Cert.pdf
Datenblätter
EPC2203.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Manufacturing Site Alternate 25/Oct/2021.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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