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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFCH041N60E
Fairchild Semiconductor
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FCH041N60E - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FCH041N60E
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FCH041N60E
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
FCH041N60E.pdf
vorrätig: 5170

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Spezifikation

FCH041N60E Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FCH041N60E Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FCH041N60E

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie SuperFET® II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41mOhm @ 39A, 10V  
Verlustleistung (max) 592W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13700 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 380 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 77A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FCH041N60E.

Produkteigenschaften FCH041N60E FCH041N60F FCH041N60E FCH041N65EFLN4
Artikelnummer FCH041N60E FCH041N60F FCH041N60E FCH041N65EFLN4
Hersteller Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-4
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA 5V @ 250µA 3.5V @ 250µA 5V @ 7.6mA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 592W (Tc) 595W (Tc) 592W (Tc) 595W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-4
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 380 nC @ 10 V 360 nC @ 10 V 380 nC @ 10 V 298 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13700 pF @ 100 V 14365 pF @ 100 V 13700 pF @ 100 V 12560 pF @ 100 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 600 V 650 V
Serie SuperFET® II SuperFET® II SuperFET® II FRFET®, SuperFET® II
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 77A (Tc) 76A (Tc) 77A (Tc) 76A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41mOhm @ 39A, 10V 41mOhm @ 38A, 10V 41mOhm @ 39A, 10V 41mOhm @ 38A, 10V
Paket Bulk Tube Tube Tube

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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