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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFCH041N60E
onsemi
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FCH041N60E - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FCH041N60E
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FCH041N60E
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 77A TO247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
FCH041N60E.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3418

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Anzahl

Spezifikation

FCH041N60E Tech -Spezifikationen
onsemi - FCH041N60E Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FCH041N60E

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie SuperFET® II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41mOhm @ 39A, 10V  
Verlustleistung (max) 592W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13700 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 380 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 77A (Tc)  
Grundproduktnummer FCH041  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FCH041N60E.

Produkteigenschaften FCH041N60E FCH041N65EFL4 FCH041N65F-F155 FCH041N60F
Artikelnummer FCH041N60E FCH041N65EFL4 FCH041N65F-F155 FCH041N60F
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-4 TO-247-3 TO-247-3
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA 5V @ 7.6mA 5V @ 7.6mA 5V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 TO-247-4 TO-247-3 TO-247-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 77A (Tc) 76A (Tc) 76A (Tc) 76A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41mOhm @ 39A, 10V 41mOhm @ 38A, 10V 41mOhm @ 38A, 10V 41mOhm @ 38A, 10V
Verlustleistung (max) 592W (Tc) 595W (Tc) 595W (Tc) 595W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 650 V 650 V 600 V
Paket Tube Bulk Tube Tube
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer FCH041 - FCH041 FCH041
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13700 pF @ 100 V 12560 pF @ 100 V 13020 pF @ 100 V 14365 pF @ 100 V
Serie SuperFET® II FRFET®, SuperFET® II FRFET®, SuperFET® II SuperFET® II
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 380 nC @ 10 V 298 nC @ 10 V 294 nC @ 10 V 360 nC @ 10 V

FCH041N60E Datenblatt PDF

Laden Sie FCH041N60E PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FCH041N60E - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mold Compound Change 17/Dec/2021.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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