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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDMC7672
Fairchild Semiconductor
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FDMC7672 - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FDMC7672
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FDMC7672
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 16.9A/20A 8MLP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerWDFN
Datenblatt
FDMC7672.pdf
vorrätig: 96000

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Anzahl

Spezifikation

FDMC7672 Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FDMC7672 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FDMC7672

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-MLP (3.3x3.3)  
Serie PowerTrench®, SyncFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 16.9A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.3W (Ta), 33W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3890 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16.9A (Ta), 20A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FDMC7672.

Produkteigenschaften FDMC7672 FDMC7664 FDMC7672S FDMC7680
Artikelnummer FDMC7672 FDMC7664 FDMC7672S FDMC7680
Hersteller Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 1mA 3V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3890 pF @ 15 V 4865 pF @ 15 V 2520 pF @ 15 V 2855 pF @ 15 V
Supplier Device-Gehäuse 8-MLP (3.3x3.3) 8-MLP (3.3x3.3) 8-MLP (3.3x3.3) 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57 nC @ 10 V 76 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16.9A (Ta), 20A (Tc) 18.8A (Ta), 24A (Tc) 14.8A (Ta), 18A (Tc) 14.8A (Ta)
Paket Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 16.9A, 10V 4.2mOhm @ 18.8A, 10V 6mOhm @ 14.8A, 10V 7.2mOhm @ 14.8A, 10V
Verlustleistung (max) 2.3W (Ta), 33W (Tc) 2.3W (Ta), 45W (Tc) 2.3W (Ta), 36W (Tc) 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Serie PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench® PowerTrench®, SyncFET™ -

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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