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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDMC7680
Fairchild Semiconductor
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FDMC7680 - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FDMC7680
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FDMC7680
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP
Verpackung
8-PowerWDFN
Datenblatt
FDMC7680.pdf
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 63100

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Spezifikation

FDMC7680 Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FDMC7680 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FDMC7680

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-MLP (3.3x3.3)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2mOhm @ 14.8A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.3W (Ta), 31W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2855 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14.8A (Ta)  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)
Status erreichen
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FDMC7680.

Produkteigenschaften FDMC7680 FDMC7696 FDMC7672 FDMC7692
Artikelnummer FDMC7680 FDMC7696 FDMC7672 FDMC7692
Hersteller Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
FET-Merkmal - - - -
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 2.3W (Ta), 31W (Tc) 2.4W (Ta), 25W (Tc) 2.3W (Ta), 33W (Tc) 2.3W (Ta), 29W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14.8A (Ta) 12A (Ta), 20A (Tc) 16.9A (Ta), 20A (Tc) 13.3A (Ta), 16A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2855 pF @ 15 V 1430 pF @ 15 V 3890 pF @ 15 V 1680 pF @ 15 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse 8-MLP (3.3x3.3) 8-MLP (3.3x3.3) 8-MLP (3.3x3.3) 8-MLP (3.3x3.3)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 57 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V
Serie - PowerTrench® PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2mOhm @ 14.8A, 10V 11.5mOhm @ 12A, 10V 5.7mOhm @ 16.9A, 10V 8.5mOhm @ 13.3A, 10V

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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