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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDPF12N50NZ
Fairchild Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDPF12N50NZ - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FDPF12N50NZ
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FDPF12N50NZ
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FDPF12N50NZ.pdf
vorrätig: 49510

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Anzahl

Spezifikation

FDPF12N50NZ Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FDPF12N50NZ Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FDPF12N50NZ

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie UniFET-II™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 520mOhm @ 5.75A, 10V  
Verlustleistung (max) 42W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1235 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11.5A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FDPF12N50NZ.

Produkteigenschaften FDPF12N50NZ FDPF10N60ZUT FDPF10N60ZUT FDPF10N60NZ
Artikelnummer FDPF12N50NZ FDPF10N60ZUT FDPF10N60ZUT FDPF10N60NZ
Hersteller Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 600 V 600 V 600 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 520mOhm @ 5.75A, 10V 800mOhm @ 4.5A, 10V 800mOhm @ 4.5A, 10V 750mOhm @ 5A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±25V ±30V ±30V ±25V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 42W (Tc) 42W (Tc) 42W (Tc) 38W (Tc)
Serie UniFET-II™ UniFET™ UniFET™ UniFET-II™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11.5A (Tc) 9A (Tc) 9A (Tc) 10A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1235 pF @ 25 V 1980 pF @ 25 V 1980 pF @ 25 V 1475 pF @ 25 V
Paket Bulk Bulk Tube Bulk

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Versandkosten

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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