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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDPF10N60ZUT
FDPF10N60ZUT Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDPF10N60ZUT - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDPF10N60ZUT
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDPF10N60ZUT
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 9A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FDPF10N60ZUT.pdf
RoHS Status
vorrätig: 18871

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Anzahl

Spezifikation

FDPF10N60ZUT Tech -Spezifikationen
onsemi - FDPF10N60ZUT Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDPF10N60ZUT

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie UniFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 4.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 42W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1980 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Tc)  
Grundproduktnummer FDPF10  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDPF10N60ZUT.

Produkteigenschaften FDPF10N60ZUT FDPF12N50NZ FDPF12N50FT FDPF12N35
Artikelnummer FDPF10N60ZUT FDPF12N50NZ FDPF12N50FT FDPF12N35
Hersteller onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 4.5A, 10V 520mOhm @ 5.75A, 10V 700mOhm @ 6A, 10V 380mOhm @ 6A, 10V
Paket Tube Tube Tube Tube
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 500 V 500 V 350 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Tc) 11.5A (Tc) 11.5A (Tc) 12A (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±25V ±30V ±30V
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Serie UniFET™ UniFET-II™ UniFET™ UniFET™
Verlustleistung (max) 42W (Tc) 42W (Tc) 42W (Tc) 31.3W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer FDPF10 FDPF12 FDPF12 -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1980 pF @ 25 V 1235 pF @ 25 V 1395 pF @ 25 V 1110 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V

FDPF10N60ZUT Datenblatt PDF

Laden Sie FDPF10N60ZUT PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDPF10N60ZUT - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly/Test Site 14/Dec/2022.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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