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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDPF680N10T
FDPF680N10T Image
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FDPF680N10T - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDPF680N10T
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDPF680N10T
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 12A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FDPF680N10T.pdf
RoHS Status
vorrätig: 65920

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Anzahl

Spezifikation

FDPF680N10T Tech -Spezifikationen
onsemi - FDPF680N10T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDPF680N10T

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 68mOhm @ 6A, 10V  
Verlustleistung (max) 24W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc)  
Grundproduktnummer FDPF680  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDPF680N10T.

Produkteigenschaften FDPF680N10T FDPF770N15A FDPF6N60ZUT FDPF5N60NZ
Artikelnummer FDPF680N10T FDPF770N15A FDPF6N60ZUT FDPF5N60NZ
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc) 10A (Tc) 4.5A (Tc) 4.5A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V 11.2 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Serie PowerTrench® PowerTrench® UniFET™ UniFET-II™
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 150 V 600 V 600 V
Paket Tube Tube Bulk Tube
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±25V
Verlustleistung (max) 24W (Tc) 21W (Tc) 33.8W (Tc) 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 68mOhm @ 6A, 10V 77mOhm @ 10A, 10V 2Ohm @ 2.25A, 10V 2Ohm @ 2.25A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 50 V 765 pF @ 75 V 865 pF @ 25 V 600 pF @ 25 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Grundproduktnummer FDPF680 FDPF770 - FDPF5

FDPF680N10T Datenblatt PDF

Laden Sie FDPF680N10T PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDPF680N10T - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf SOA curve 01/Jul/2013.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly/Test Site 14/Dec/2022.pdf
Datenblätter
FDPF680N10T.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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