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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDZ206P
Fairchild Semiconductor
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FDZ206P - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FDZ206P
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FDZ206P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 13A 30BGA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
30-WFBGA
Datenblatt
FDZ206P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 61950

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Anzahl

Spezifikation

FDZ206P Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FDZ206P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FDZ206P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 30-BGA (4x3.5)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 13A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 2.2W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 30-WFBGA  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4280 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FDZ206P.

Produkteigenschaften FDZ206P FDZ208P FDZ197PZ FDZ202P
Artikelnummer FDZ206P FDZ208P FDZ197PZ FDZ202P
Hersteller Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Verlustleistung (max) 2.2W (Ta) 2.2W (Ta) 1.9W (Ta) 2W (Ta)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Ta) 12.5A (Ta) 3.8A (Ta) 5.5A (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V ±25V ±8V ±12V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4280 pF @ 10 V 2409 pF @ 15 V 1570 pF @ 10 V 884 pF @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 13A, 4.5V 10.5mOhm @ 12.5A, 10V 64mOhm @ 2A, 4.5V 45mOhm @ 5.5A, 4.5V
Verpackung / Gehäuse 30-WFBGA 30-WFBGA 6-UFBGA, WLCSP 12-WFBGA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V 1.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Supplier Device-Gehäuse 30-BGA (4x3.5) 30-BGA (4x3.5) 6-WLCSP (1.0x1.5) 12-BGA (2x2.5)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 30 V 20 V 20 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 4.5 V 35 nC @ 5 V 25 nC @ 4.5 V 13 nC @ 4.5 V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Paket Bulk Bulk Bulk Bulk
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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