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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQB14N30TM
Fairchild Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FQB14N30TM - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FQB14N30TM
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FQB14N30TM
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 300V 14.4A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
FQB14N30TM.pdf
RoHS Status
vorrätig: 21931

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Anzahl

Spezifikation

FQB14N30TM Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FQB14N30TM Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FQB14N30TM

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK (TO-263)  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 7.2A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.13W (Ta), 147W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1360 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 300 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14.4A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FQB14N30TM.

Produkteigenschaften FQB14N30TM FQB13N50CTM FQB13N50CTM FQB16N25TM
Artikelnummer FQB14N30TM FQB13N50CTM FQB13N50CTM FQB16N25TM
Hersteller Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14.4A (Tc) 13A (Tc) 13A (Tc) 16A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1360 pF @ 25 V 2055 pF @ 25 V 2055 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 300 V 500 V 500 V 250 V
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Paket Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 3.13W (Ta), 147W (Tc) 195W (Tc) 195W (Tc) 3.13W (Ta), 142W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 7.2A, 10V 480mOhm @ 6.5A, 10V 480mOhm @ 6.5A, 10V 230mOhm @ 8A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA

Lieferung

Lieferzeit

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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