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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelHUF76131SK8T
Fairchild Semiconductor
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HUF76131SK8T - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
HUF76131SK8T
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-HUF76131SK8T
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
N-CHANNEL POWER MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
HUF76131SK8T.pdf
RoHS Status
vorrätig: 67870

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Anzahl

Spezifikation

HUF76131SK8T Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - HUF76131SK8T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - HUF76131SK8T

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie UltraFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 10A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1605 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor HUF76131SK8T.

Produkteigenschaften HUF76131SK8T HUF76129D3ST HUF76129P3 HUF76132S3ST
Artikelnummer HUF76131SK8T HUF76129D3ST HUF76129P3 HUF76132S3ST
Hersteller Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Harris Corporation Fairchild Semiconductor
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1605 pF @ 25 V 1425 pF @ 25 V 1350 pF @ 25 V 1650 pF @ 25 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC TO-252-3 (DPAK) TO-220AB TO-263AB
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) 105W (Tc) 105W (Tc) 120W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Ta) 20A (Tc) 56A (Tc) 75A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paket Bulk Bulk Bulk Bulk
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 10A, 10V 16mOhm @ 20A, 10V 16Ohm @ 56A, 10V 11mOhm @ 75A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Serie UltraFET® UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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