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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelHUF76129P3
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

HUF76129P3 - Harris Corporation

Hersteller Artikelnummer
HUF76129P3
Hersteller
Harris Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-HUF76129P3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
N-CHANNEL POWER MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
HUF76129P3.pdf
vorrätig: 59440

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Anzahl

Spezifikation

HUF76129P3 Tech -Spezifikationen
Harris Corporation - HUF76129P3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Harris Corporation - HUF76129P3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Harris Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie UltraFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16Ohm @ 56A, 10V  
Verlustleistung (max) 105W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 56A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Harris Corporation HUF76129P3.

Produkteigenschaften HUF76129P3 HUF76129D3S HUF76129S3ST HUF76131SK8T
Artikelnummer HUF76129P3 HUF76129D3S HUF76129S3ST HUF76131SK8T
Hersteller Harris Corporation Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16Ohm @ 56A, 10V 16mOhm @ 20A, 10V 16Ohm @ 56A, 10V 13mOhm @ 10A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB TO-252-3 (DPAK) D2PAK (TO-263) 8-SOIC
Paket Bulk Bulk Bulk Bulk
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Serie UltraFET™ UltraFET™ UltraFET® UltraFET®
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 47 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 105W (Tc) 105W (Tc) 105W (Tc) 2.5W (Ta)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 25 V 1425 pF @ 25 V 1350 pF @ 25 V 1605 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 56A (Tc) 20A (Tc) 56A (Tc) 10A (Ta)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA

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Lieferzeit

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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