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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelHUFA75344S3
Fairchild Semiconductor
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HUFA75344S3 - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
HUFA75344S3
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-HUFA75344S3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
HUFA75344S3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 36448

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Anzahl

Spezifikation

HUFA75344S3 Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - HUFA75344S3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - HUFA75344S3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I2PAK (TO-262)  
Serie UltraFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 75A, 10V  
Verlustleistung (max) 285W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3200 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 210 nC @ 20 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor HUFA75344S3.

Produkteigenschaften HUFA75344S3 HUFA75344S3S HUFA75433S3ST HUFA75343P3
Artikelnummer HUFA75344S3 HUFA75344S3S HUFA75433S3ST HUFA75343P3
Hersteller Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Verlustleistung (max) 285W (Tc) 285W (Tc) 150W (Tc) 270W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 55 V 60 V 55 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc) 75A (Tc) 64A (Tc) 75A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 75A, 10V 8mOhm @ 75A, 10V 16mOhm @ 64A, 10V 9mOhm @ 75A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse I2PAK (TO-262) D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) TO-220-3
FET-Merkmal - - - -
Serie UltraFET™ UltraFET™ UltraFET® UltraFET™
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 210 nC @ 20 V 210 nC @ 20 V 117 nC @ 20 V 205 nC @ 20 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paket Tube Tube Bulk Tube
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3200 pF @ 25 V 3200 pF @ 25 V 1550 pF @ 25 V 3000 pF @ 25 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V

Lieferung

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Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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