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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelHUFA75433S3ST
Fairchild Semiconductor
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HUFA75433S3ST - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
HUFA75433S3ST
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-HUFA75433S3ST
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
64A, 60V, 0.016OHM, N-CHANNEL MO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
HUFA75433S3ST.pdf
vorrätig: 24183

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Spezifikation

HUFA75433S3ST Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - HUFA75433S3ST Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - HUFA75433S3ST

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK (TO-263)  
Serie UltraFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 64A, 10V  
Verlustleistung (max) 150W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1550 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 117 nC @ 20 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 64A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor HUFA75433S3ST.

Produkteigenschaften HUFA75433S3ST HUFA75545P3 HUFA75345S3S HUFA75545P3
Artikelnummer HUFA75433S3ST HUFA75545P3 HUFA75345S3S HUFA75545P3
Hersteller Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Supplier Device-Gehäuse D2PAK (TO-263) TO-220-3 D²PAK (TO-263) TO-220-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie UltraFET® UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 117 nC @ 20 V 235 nC @ 20 V 275 nC @ 20 V 235 nC @ 20 V
Verlustleistung (max) 150W (Tc) 270W (Tc) 325W (Tc) 270W (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1550 pF @ 25 V 3750 pF @ 25 V 4000 pF @ 25 V 3750 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 64A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Paket Bulk Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 64A, 10V 10mOhm @ 75A, 10V 7mOhm @ 75A, 10V 10mOhm @ 75A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 80 V 55 V 80 V

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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