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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysNDM3000
Fairchild Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NDM3000 - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
NDM3000
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-NDM3000
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
NDM3000.pdf
RoHS Status
vorrätig: 20998

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Anzahl

Spezifikation

NDM3000 Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - NDM3000 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - NDM3000

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 16-SOIC  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 3A, 10V  
Leistung - max 1.4W  
Verpackung / Gehäuse 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 360pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A  
Konfiguration 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)  
Grundproduktnummer NDM300  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor NDM3000.

Produkteigenschaften NDM3000 NDM3000 FDG6314P TC6215TG-G
Artikelnummer NDM3000 NDM3000 FDG6314P TC6215TG-G
Hersteller Fairchild Semiconductor onsemi onsemi Microchip Technology
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA - 2V @ 1mA
Verpackung / Gehäuse 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V 25nC @ 10V - -
Serie - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A 3A - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 360pF @ 10V 360pF @ 10V - 120pF @ 25V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Konfiguration 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
Leistung - max 1.4W 1.4W - -
Supplier Device-Gehäuse 16-SOIC 16-SOIC SC-88 (SC-70-6) 8-SOIC
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 25V 150V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 3A, 10V 90mOhm @ 3A, 10V - 4Ohm @ 2A, 10V
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate - -
Grundproduktnummer NDM300 NDM300 FDG6314 TC6215

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Lieferzeit

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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