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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSFR9110TF
Fairchild Semiconductor
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SFR9110TF - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
SFR9110TF
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-SFR9110TF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 100V 2.8A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
SFR9110TF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 59080

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Anzahl

Spezifikation

SFR9110TF Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - SFR9110TF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - SFR9110TF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252, (D-Pak)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 1.4A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 20W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 335 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.8A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor SFR9110TF.

Produkteigenschaften SFR9110TF SFR9210TM SFR9024TM SFR9024TF
Artikelnummer SFR9110TF SFR9210TM SFR9024TM SFR9024TF
Hersteller Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 200 V 60 V 60 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 1.4A, 10V 3Ohm @ 800mA, 10V 280mOhm @ 3.9A, 10V 280mOhm @ 3.9A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.8A (Tc) 1.6A (Tc) 7.8A (Tc) 7.8A (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paket Bulk Bulk Bulk Bulk
Serie - - - -
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 20W (Tc) 2.5W (Ta), 19W (Tc) 2.5W (Ta), 32W (Tc) 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 335 pF @ 25 V 285 pF @ 25 V 600 pF @ 25 V 600 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse TO-252, (D-Pak) TO-252-3 (DPAK) TO-252, (D-Pak) TO-252-3 (DPAK)

Lieferung

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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