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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSFR9220TM
Fairchild Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SFR9220TM - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
SFR9220TM
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-SFR9220TM
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
P-CHANNEL POWER MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
SFR9220TM.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4000

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Anzahl

Spezifikation

SFR9220TM Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - SFR9220TM Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - SFR9220TM

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252-3 (DPAK)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 1.6A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 30W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 540 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.1A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor SFR9220TM.

Produkteigenschaften SFR9220TM SFR9214TF SFR9230BTM SFR9110TF
Artikelnummer SFR9220TM SFR9214TF SFR9230BTM SFR9110TF
Hersteller Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 250 V 200 V 100 V
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 30W (Tc) 2.5W (Ta), 19W (Tc) 2.5W (Ta), 49W (Tc) 2.5W (Ta), 20W (Tc)
Serie - - - -
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Paket Bulk Bulk Bulk Bulk
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.1A (Tc) 1.53A (Tc) 5.4A (Tc) 2.8A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-252-3 (DPAK) TO-252-3 (DPAK) TO-252-3 (DPAK) TO-252, (D-Pak)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 540 pF @ 25 V 295 pF @ 25 V 1000 pF @ 25 V 335 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 1.6A, 10V 4Ohm @ 770mA, 10V 800mOhm @ 2.7A, 10V 1.2Ohm @ 1.4A, 10V

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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