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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysPMDPB42UN,115
PMDPB42UN,115 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

PMDPB42UN,115 - NXP USA Inc.

Hersteller Artikelnummer
PMDPB42UN,115
Hersteller
NXP Semiconductors
Allelco Artikelnummer
32D-PMDPB42UN,115
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-UDFN Exposed Pad
Datenblatt
PMDPB42UN.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5300

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Anzahl

Spezifikation

PMDPB42UN,115 Tech -Spezifikationen
NXP USA Inc. - PMDPB42UN,115 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie NXP USA Inc. - PMDPB42UN,115

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller NXP Semiconductors  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-HUSON (2x2)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 3.9A, 4.5V  
Leistung - max 510mW  
Verpackung / Gehäuse 6-UDFN Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 185pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.5nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.9A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer PMDPB  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie NXP USA Inc. PMDPB42UN,115.

Produkteigenschaften PMDPB42UN,115 PMDPB30XN,115 PMDPB70EN,115 PMDPB30XN,115
Artikelnummer PMDPB42UN,115 PMDPB30XN,115 PMDPB70EN,115 PMDPB30XN,115
Hersteller NXP USA Inc. NXP USA Inc. NXP USA Inc. Nexperia USA Inc.
Grundproduktnummer PMDPB PMDPB30 PMDPB70 PMDPB30
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 185pF @ 10V 660pF @ 10V 130pF @ 15V 660pF @ 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.5nC @ 4.5V 21.7nC @ 4.5V 4.5nC @ 10V 21.7nC @ 4.5V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 900mV @ 250µA 2.5V @ 250µA 900mV @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.9A 4A 3.5A 4A
Leistung - max 510mW 490mW 510mW 490mW
Supplier Device-Gehäuse 6-HUSON (2x2) 6-HUSON (2x2) 6-HUSON (2x2) 6-HUSON (2x2)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 3.9A, 4.5V 40mOhm @ 3A, 4.5V 57mOhm @ 3.5A, 10V 40mOhm @ 3A, 4.5V
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse 6-UDFN Exposed Pad 6-UFDFN Exposed Pad 6-UFDFN Exposed Pad 6-UFDFN Exposed Pad
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V 30V 20V
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

PMDPB42UN,115 Datenblatt PDF

Laden Sie PMDPB42UN,115 PDF -Datenblätter und NXP USA Inc. -Dokumentation für PMDPB42UN,115 - NXP USA Inc. herunter.

PCN -Verpackung
All Dev Label Update 15/Dec/2020.pdf
Umweltinformationen
NXP USA Inc REACH.pdf NXP USA Inc RoHS Cert.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 25/Dec/2013.pdf
Datenblätter
PMDPB42UN.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-PMDPB42UN,115

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