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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelPMG45UN,115
PMG45UN,115 Image
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PMG45UN,115 - NXP USA Inc.

Hersteller Artikelnummer
PMG45UN,115
Hersteller
NXP Semiconductors
Allelco Artikelnummer
32D-PMG45UN,115
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 3A 6TSSOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
PMG45UN Datasheet.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4280

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Anzahl

Spezifikation

PMG45UN,115 Tech -Spezifikationen
NXP USA Inc. - PMG45UN,115 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie NXP USA Inc. - PMG45UN,115

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller NXP Semiconductors  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-TSSOP  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 3A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 375mW (Ta), 4.35W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 184 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.3 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Ta)  
Grundproduktnummer PMG45  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie NXP USA Inc. PMG45UN,115.

Produkteigenschaften PMG45UN,115 PMG85XP,115 PMG85XP,115 PMG370XN.115
Artikelnummer PMG45UN,115 PMG85XP,115 PMG85XP,115 PMG370XN.115
Hersteller NXP USA Inc. NXP USA Inc. Nexperia USA Inc. Freescale / NXP Semiconductors
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.3 nC @ 4.5 V 7.2 nC @ 4.5 V 7.2 nC @ 4.5 V -
Grundproduktnummer PMG45 PMG85 PMG85 -
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V -
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1.15V @ 250µA 1.15V @ 250µA -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Ta) 2A (Tj) 2A (Tj) -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 184 pF @ 10 V 560 pF @ 10 V 560 pF @ 10 V -
Supplier Device-Gehäuse 6-TSSOP 6-TSSOP 6-TSSOP -
Typ FET N-Channel P-Channel P-Channel -
Verlustleistung (max) 375mW (Ta), 4.35W (Tc) 375mW (Ta), 2.4W (Tc) 375mW (Ta), 2.4W (Tc) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Serie - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 3A, 4.5V 115mOhm @ 2A, 4.5V 115mOhm @ 2A, 4.5V -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -

PMG45UN,115 Datenblatt PDF

Laden Sie PMG45UN,115 PDF -Datenblätter und NXP USA Inc. -Dokumentation für PMG45UN,115 - NXP USA Inc. herunter.

PCN -Verpackung
All Dev Label Update 15/Dec/2020.pdf
Umweltinformationen
NXP USA Inc REACH.pdf NXP USA Inc RoHS Cert.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 25/Dec/2013.pdf
Datenblätter
PMG45UN Datasheet.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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