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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysPMGD175XN,115
PMGD175XN,115 Image
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PMGD175XN,115 - NXP USA Inc.

Hersteller Artikelnummer
PMGD175XN,115
Hersteller
NXP Semiconductors
Allelco Artikelnummer
32D-PMGD175XN,115
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
PMGD175XN.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 5360

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Spezifikation

PMGD175XN,115 Tech -Spezifikationen
NXP USA Inc. - PMGD175XN,115 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie NXP USA Inc. - PMGD175XN,115

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller NXP Semiconductors  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-TSSOP  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 225mOhm @ 1A, 4.5V  
Leistung - max 390mW  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 75pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.1nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 900mA  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer PMGD1  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie NXP USA Inc. PMGD175XN,115.

Produkteigenschaften PMGD175XN,115 PMGD280UN,115 PMGD130UN,115 PMGD290UCEAX
Artikelnummer PMGD175XN,115 PMGD280UN,115 PMGD130UN,115 PMGD290UCEAX
Hersteller NXP USA Inc. Nexperia USA Inc. NXP USA Inc. Nexperia USA Inc.
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1.3V @ 250µA
Serie - TrenchMOS™ - Automotive, AEC-Q100
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Leistung - max 390mW 400mW 390mW 280mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 225mOhm @ 1A, 4.5V 340mOhm @ 200mA, 4.5V 145mOhm @ 1.2A, 4.5V 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 900mA 870mA 1.2A 725mA, 500mA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 20V 20V 20V
Supplier Device-Gehäuse 6-TSSOP 6-TSSOP 6-TSSOP 6-TSSOP
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 75pF @ 15V 45pF @ 20V 83pF @ 10V 83pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.1nC @ 4.5V 0.89nC @ 4.5V 1.3nC @ 4.5V 0.68nC @ 4.5V
Grundproduktnummer PMGD1 PMGD280 PMGD1 PMGD290

PMGD175XN,115 Datenblatt PDF

Laden Sie PMGD175XN,115 PDF -Datenblätter und NXP USA Inc. -Dokumentation für PMGD175XN,115 - NXP USA Inc. herunter.

PCN -Verpackung
All Dev Label Update 15/Dec/2020.pdf
Umweltinformationen
NXP USA Inc REACH.pdf NXP USA Inc RoHS Cert.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
MCU Dip Supply Situation 12/May/2015.pdf Multiple Devices 01/Jul/2014.pdf
Datenblätter
PMGD175XN.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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