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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelPMN35EN,115
PMN35EN,115 Image
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PMN35EN,115 - NXP Semiconductors / Freescale

Hersteller Artikelnummer
PMN35EN,115
Hersteller
NXP Semiconductors
Allelco Artikelnummer
32D-PMN35EN,115
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-74, SOT-457
Datenblatt
PMN35EN.pdf
RoHS Status
Bleifrei / RoHS-konform
vorrätig: 4490

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Spezifikation

PMN35EN,115 Tech -Spezifikationen
NXP Semiconductors / Freescale - PMN35EN,115 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie NXP Semiconductors / Freescale - PMN35EN,115

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller NXP Semiconductors  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-TSOP  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31 mOhm @ 5.1A, 10V  
Verlustleistung (max) 500mW (Ta)  
Verpackung Tape & Reel (TR)  
Verpackung / Gehäuse SC-74, SOT-457  
Andere Namen 934065376115
PMN35EN115
 
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)  
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 334pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.3nC @ 10V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
detaillierte Beschreibung N-Channel 30V 5.1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.1A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie NXP Semiconductors / Freescale PMN35EN,115.

Produkteigenschaften PMN35EN,115 PMN30XPAX PMN30UNEX PMN40UPE,115
Artikelnummer PMN35EN,115 PMN30XPAX PMN30UNEX PMN40UPE,115
Hersteller NXP Semiconductors / Freescale Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. NXP USA Inc.
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 2.5V, 8V 1.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.3nC @ 10V 16 nC @ 4.5 V 9 nC @ 4.5 V 23 nC @ 4.5 V
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant - - -
Verpackung Tape & Reel (TR) - - -
detaillierte Beschreibung N-Channel 30V 5.1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP - - -
Serie - Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Andere Namen 934065376115
PMN35EN115
- - -
Vgs (Max) ±20V ±12V ±8V ±8V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 20 V 20 V 20 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.1A (Ta) 5.2A (Ta) 4.8A (Ta) 4.7A (Ta)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) - - -
Supplier Device-Gehäuse 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 334pF @ 15V 1039 pF @ 10 V 558 pF @ 10 V 1820 pF @ 10 V
Verlustleistung (max) 500mW (Ta) 660mW (Ta), 7.5W (Tc) 530mW (Ta), 4.46W (Tc) 500mW (Ta), 8.33W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31 mOhm @ 5.1A, 10V 33mOhm @ 5.2A, 8V 36mOhm @ 4.8A, 4.5V 43mOhm @ 3A, 4.5V
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 1.3V @ 250µA 900mV @ 250µA 950mV @ 250µA

PMN35EN,115 Datenblatt PDF

Laden Sie PMN35EN,115 PDF -Datenblätter und NXP Semiconductors / Freescale -Dokumentation für PMN35EN,115 - NXP Semiconductors / Freescale herunter.

Datenblätte
PMN35EN.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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