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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelPMN30XPAX
Nexperia USA Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

PMN30XPAX - Nexperia USA Inc.

Hersteller Artikelnummer
PMN30XPAX
Hersteller
Nexperia
Allelco Artikelnummer
32D-PMN30XPAX
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 5.2A 6TSOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-74, SOT-457
Datenblatt
PMN30XPA.pdf
RoHS Status
vorrätig: 255070

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Anzahl

Spezifikation

PMN30XPAX Tech -Spezifikationen
Nexperia USA Inc. - PMN30XPAX Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Nexperia USA Inc. - PMN30XPAX

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Nexperia  
VGS (th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-TSOP  
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 5.2A, 8V  
Verlustleistung (max) 660mW (Ta), 7.5W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SC-74, SOT-457  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1039 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 8V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.2A (Ta)  
Grundproduktnummer PMN30  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Nexperia USA Inc. PMN30XPAX.

Produkteigenschaften PMN30XPAX PMN35EN,115 PMN30ENEAX PMN280ENEAX
Artikelnummer PMN30XPAX PMN35EN,115 PMN30ENEAX PMN280ENEAX
Hersteller Nexperia USA Inc. NXP Semiconductors / Freescale Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1039 pF @ 10 V 334pF @ 15V 440 pF @ 20 V 190 pF @ 50 V
VGS (th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.7V @ 250µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±12V ±20V ±20V ±20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.2A (Ta) 5.1A (Ta) 5.4A (Ta) 1.2A (Ta)
FET-Merkmal - - - -
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 660mW (Ta), 7.5W (Tc) 500mW (Ta) 667mW (Ta), 7.5W (Tc) 667mW (Ta), 7.5W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ - Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 5.2A, 8V 31 mOhm @ 5.1A, 10V 30mOhm @ 5.4A, 10V 385mOhm @ 1.2A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 8V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457
Supplier Device-Gehäuse 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 4.5 V 9.3nC @ 10V 11.7 nC @ 10 V 6.8 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 30V 40 V 100 V
Grundproduktnummer PMN30 - PMN30 PMN280

PMN30XPAX Datenblatt PDF

Laden Sie PMN30XPAX PDF -Datenblätter und Nexperia USA Inc. -Dokumentation für PMN30XPAX - Nexperia USA Inc. herunter.

PCN -Verpackung
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf
Datenblätter
PMN30XPA.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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