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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelPMV185XN,215
PMV185XN,215 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

PMV185XN,215 - NXP USA Inc.

Hersteller Artikelnummer
PMV185XN,215
Hersteller
NXP Semiconductors
Allelco Artikelnummer
32D-PMV185XN,215
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 1.1A TO236AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
PMV185XN.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4020

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Anzahl

Spezifikation

PMV185XN,215 Tech -Spezifikationen
NXP USA Inc. - PMV185XN,215 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie NXP USA Inc. - PMV185XN,215

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller NXP Semiconductors  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23 (TO-236AB)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 1.1A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 325mW (Ta), 1.275W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 76 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.3 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.1A (Ta)  
Grundproduktnummer PMV1  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie NXP USA Inc. PMV185XN,215.

Produkteigenschaften PMV185XN,215 PMV20XNER PMV20XN,215 PMV16XNR
Artikelnummer PMV185XN,215 PMV20XNER PMV20XN,215 PMV16XNR
Hersteller NXP USA Inc. Nexperia USA Inc. NXP USA Inc. Nexperia USA Inc.
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 900mV @ 250µA 1.5V @ 250µA 900mV @ 250µA
Verlustleistung (max) 325mW (Ta), 1.275W (Tc) 510mW (Ta), 6.94W (Tc) 510mW (Ta) 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 76 pF @ 15 V 1150 pF @ 15 V 585 pF @ 15 V 1240 pF @ 10 V
Vgs (Max) ±12V ±12V ±12V ±12V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer PMV1 PMV20 PMV2 PMV16
Supplier Device-Gehäuse SOT-23 (TO-236AB) TO-236AB SOT-23 (TO-236AB) TO-236AB
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.1A (Ta) 5.7A (Ta) 4.8A (Ta) 6.8A (Ta)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 1.1A, 4.5V 23mOhm @ 5.7A, 4.5V 25mOhm @ 4.8A, 4.5V 20mOhm @ 6.8A, 4.5V
Serie - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.3 nC @ 4.5 V 18.6 nC @ 4.5 V 10 nC @ 4.5 V 20.2 nC @ 4.5 V

PMV185XN,215 Datenblatt PDF

Laden Sie PMV185XN,215 PDF -Datenblätter und NXP USA Inc. -Dokumentation für PMV185XN,215 - NXP USA Inc. herunter.

PCN -Verpackung
All Dev Label Update 15/Dec/2020.pdf
Umweltinformationen
NXP USA Inc REACH.pdf NXP USA Inc RoHS Cert.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 25/Dec/2013.pdf
Datenblätter
PMV185XN.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-PMV185XN,215

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