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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelPMV20XN,215
PMV20XN,215 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

PMV20XN,215 - NXP USA Inc.

Hersteller Artikelnummer
PMV20XN,215
Hersteller
NXP Semiconductors
Allelco Artikelnummer
32D-PMV20XN,215
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 4.8A TO236AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
PMV20XN,215.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4500

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Anzahl

Spezifikation

PMV20XN,215 Tech -Spezifikationen
NXP USA Inc. - PMV20XN,215 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie NXP USA Inc. - PMV20XN,215

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller NXP Semiconductors  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23 (TO-236AB)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 4.8A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 510mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 585 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.8A (Ta)  
Grundproduktnummer PMV2  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie NXP USA Inc. PMV20XN,215.

Produkteigenschaften PMV20XN,215 PMV20ENR PMV16XNR PMV170UN,215
Artikelnummer PMV20XN,215 PMV20ENR PMV16XNR PMV170UN,215
Hersteller NXP USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. NXP USA Inc.
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 20 V 20 V
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V 10.8 nC @ 10 V 20.2 nC @ 4.5 V 1.65 nC @ 4.5 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±12V ±20V ±12V ±8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 4.8A, 4.5V 21mOhm @ 6A, 10V 20mOhm @ 6.8A, 4.5V 165mOhm @ 1A, 4.5V
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 2V @ 250µA 900mV @ 250µA 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse SOT-23 (TO-236AB) TO-236AB TO-236AB SOT-23 (TO-236AB)
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Grundproduktnummer PMV2 PMV20 PMV16 PMV1
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.8A (Ta) 6A (Ta) 6.8A (Ta) 1A (Ta)
Serie - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 585 pF @ 15 V 435 pF @ 15 V 1240 pF @ 10 V 83 pF @ 10 V
Verlustleistung (max) 510mW (Ta) 510mW (Ta), 6.94W (Tc) 510mW (Ta), 6.94W (Tc) 325mW (Ta), 1.14W (Tc)

PMV20XN,215 Datenblatt PDF

Laden Sie PMV20XN,215 PDF -Datenblätter und NXP USA Inc. -Dokumentation für PMV20XN,215 - NXP USA Inc. herunter.

PCN -Verpackung
All Dev Label Update 15/Dec/2020.pdf
Umweltinformationen
NXP USA Inc REACH.pdf NXP USA Inc RoHS Cert.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Resin Hardener 02/Jul/2013.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
MCU Dip Supply Situation 12/May/2015.pdf Multiple Devices 01/Jul/2014.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-PMV20XN,215

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