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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Gleichrichter-ArraysMBR200100CT
GeneSiC Semiconductor
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MBR200100CT - GeneSiC Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
MBR200100CT
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-MBR200100CT
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER
detaillierte Beschreibung
Verpackung
Twin Tower
Datenblatt
MBR20045CT thru MBR200100CT.pdf
RoHS Status
RoHS-konform
vorrätig: 502

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Anzahl

Spezifikation

MBR200100CT Tech -Spezifikationen
GeneSiC Semiconductor - MBR200100CT Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie GeneSiC Semiconductor - MBR200100CT

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller GeneSiC Semiconductor  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 840 mV @ 100 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 100 V  
Technologie Schottky  
Supplier Device-Gehäuse Twin Tower  
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse Twin Tower  
Paket Bulk  
Befestigungsart Chassis Mount  
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 5 mA @ 20 V  
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 200A (DC)  
Grundproduktnummer MBR200100  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie GeneSiC Semiconductor MBR200100CT.

Produkteigenschaften MBR200100CT MBR20020CT MBR200200CT MBR200150CT
Artikelnummer MBR200100CT MBR20020CT MBR200200CT MBR200150CT
Hersteller GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor
Grundproduktnummer MBR200100 MBR20020 MBR200200 MBR200150
Verpackung / Gehäuse Twin Tower Twin Tower Twin Tower Twin Tower
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 200A (DC) 200A (DC) 100A 100A
Paket Bulk Bulk Bulk Bulk
Serie - - - -
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Spannung - Sperr (Vr) (max) 100 V 20 V 200 V 150 V
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 840 mV @ 100 A 650 mV @ 100 A 920 mV @ 100 A 880 mV @ 100 A
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device-Gehäuse Twin Tower Twin Tower Twin Tower Twin Tower
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 5 mA @ 20 V 5 mA @ 20 V 3 mA @ 200 V 3 mA @ 150 V
Technologie Schottky Schottky Schottky Schottky

MBR200100CT Datenblatt PDF

Laden Sie MBR200100CT PDF -Datenblätter und GeneSiC Semiconductor -Dokumentation für MBR200100CT - GeneSiC Semiconductor herunter.

Datenblätter
MBR20045CT thru MBR200100CT.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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