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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Gleichrichter-ArraysMBR20020CT
GeneSiC Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

MBR20020CT - GeneSiC Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
MBR20020CT
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-MBR20020CT
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE MODULE 20V 200A 2TOWER
detaillierte Beschreibung
Verpackung
Twin Tower
Datenblatt
MBR20020CT thru MBR20040CTR.pdf
RoHS Status
RoHS-konform
vorrätig: 515

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Anzahl

Spezifikation

MBR20020CT Tech -Spezifikationen
GeneSiC Semiconductor - MBR20020CT Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie GeneSiC Semiconductor - MBR20020CT

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller GeneSiC Semiconductor  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 650 mV @ 100 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 20 V  
Technologie Schottky  
Supplier Device-Gehäuse Twin Tower  
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse Twin Tower  
Paket Bulk  
Befestigungsart Chassis Mount  
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 5 mA @ 20 V  
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 200A (DC)  
Grundproduktnummer MBR20020  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie GeneSiC Semiconductor MBR20020CT.

Produkteigenschaften MBR20020CT MBR20035CT MBR200200CT MBR200100CTS
Artikelnummer MBR20020CT MBR20035CT MBR200200CT MBR200100CTS
Hersteller GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 2 Independent
Paket Bulk Bulk Bulk Tube
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 650 mV @ 100 A 650 mV @ 100 A 920 mV @ 100 A 950 mV @ 100 A
Technologie Schottky Schottky Schottky Schottky
Grundproduktnummer MBR20020 MBR20035 MBR200200 -
Serie - - - -
Supplier Device-Gehäuse Twin Tower Twin Tower Twin Tower SOT-227
Verpackung / Gehäuse Twin Tower Twin Tower Twin Tower SOT-227-4
Spannung - Sperr (Vr) (max) 20 V 35 V 200 V 100 V
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Screw Mount
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 200A (DC) 200A (DC) 100A 200A (DC)
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 5 mA @ 20 V 5 mA @ 20 V 3 mA @ 200 V 10 µA @ 80 V

MBR20020CT Datenblatt PDF

Laden Sie MBR20020CT PDF -Datenblätter und GeneSiC Semiconductor -Dokumentation für MBR20020CT - GeneSiC Semiconductor herunter.

Datenblätter
MBR20020CT thru MBR20040CTR.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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