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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Gleichrichter-ArraysMBR20060CT
GeneSiC Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

MBR20060CT - GeneSiC Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
MBR20060CT
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-MBR20060CT
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE MODULE 60V 200A 2TOWER
detaillierte Beschreibung
Verpackung
Twin Tower
Datenblatt
MBR20045CT thru MBR200100CT.pdf
RoHS Status
RoHS-konform
vorrätig: 340

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Anzahl

Spezifikation

MBR20060CT Tech -Spezifikationen
GeneSiC Semiconductor - MBR20060CT Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie GeneSiC Semiconductor - MBR20060CT

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller GeneSiC Semiconductor  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 750 mV @ 100 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 60 V  
Technologie Schottky  
Supplier Device-Gehäuse Twin Tower  
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse Twin Tower  
Paket Bulk  
Befestigungsart Chassis Mount  
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 5 mA @ 20 V  
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 200A (DC)  
Grundproduktnummer MBR20060  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie GeneSiC Semiconductor MBR20060CT.

Produkteigenschaften MBR20060CT MBR20080CT MBR20040CT MBR20045CT
Artikelnummer MBR20060CT MBR20080CT MBR20040CT MBR20045CT
Hersteller GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 200A (DC) 200A (DC) 200A (DC) 200A (DC)
Paket Bulk Bulk Bulk Bulk
Grundproduktnummer MBR20060 MBR20080 MBR20040 MBR20045
Verpackung / Gehäuse Twin Tower Twin Tower Twin Tower Twin Tower
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 750 mV @ 100 A 840 mV @ 100 A 650 mV @ 100 A 650 mV @ 100 A
Serie - - - -
Spannung - Sperr (Vr) (max) 60 V 80 V 40 V 45 V
Supplier Device-Gehäuse Twin Tower Twin Tower Twin Tower Twin Tower
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technologie Schottky Schottky Schottky Schottky
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 5 mA @ 20 V 5 mA @ 20 V 5 mA @ 20 V 5 mA @ 20 V
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount

MBR20060CT Datenblatt PDF

Laden Sie MBR20060CT PDF -Datenblätter und GeneSiC Semiconductor -Dokumentation für MBR20060CT - GeneSiC Semiconductor herunter.

Datenblätter
MBR20045CT thru MBR200100CT.pdf

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Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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    +00852 9146 4856

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