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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Gleichrichter-ArraysMBR20080CT
GeneSiC Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

MBR20080CT - GeneSiC Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
MBR20080CT
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-MBR20080CT
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE MODULE 80V 200A 2TOWER
detaillierte Beschreibung
Verpackung
Twin Tower
Datenblatt
MBR20045CT thru MBR200100CT.pdf
RoHS Status
RoHS-konform
vorrätig: 361

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Anzahl

Spezifikation

MBR20080CT Tech -Spezifikationen
GeneSiC Semiconductor - MBR20080CT Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie GeneSiC Semiconductor - MBR20080CT

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller GeneSiC Semiconductor  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 840 mV @ 100 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 80 V  
Technologie Schottky  
Supplier Device-Gehäuse Twin Tower  
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse Twin Tower  
Paket Bulk  
Befestigungsart Chassis Mount  
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 5 mA @ 20 V  
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 200A (DC)  
Grundproduktnummer MBR20080  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie GeneSiC Semiconductor MBR20080CT.

Produkteigenschaften MBR20080CT MBR20045CT MBR20060CT MBR20080
Artikelnummer MBR20080CT MBR20045CT MBR20060CT MBR20080
Hersteller GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor MOTOROLA
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 840 mV @ 100 A 650 mV @ 100 A 750 mV @ 100 A -
Paket Bulk Bulk Bulk -
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 200A (DC) 200A (DC) 200A (DC) -
Serie - - - -
Spannung - Sperr (Vr) (max) 80 V 45 V 60 V -
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 5 mA @ 20 V 5 mA @ 20 V 5 mA @ 20 V -
Supplier Device-Gehäuse Twin Tower Twin Tower Twin Tower -
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount -
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) -
Grundproduktnummer MBR20080 MBR20045 MBR20060 -
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode -
Verpackung / Gehäuse Twin Tower Twin Tower Twin Tower -
Technologie Schottky Schottky Schottky -

MBR20080CT Datenblatt PDF

Laden Sie MBR20080CT PDF -Datenblätter und GeneSiC Semiconductor -Dokumentation für MBR20080CT - GeneSiC Semiconductor herunter.

Datenblätter
MBR20045CT thru MBR200100CT.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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    +00852 9146 4856

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