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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Gleichrichter-ArraysMBRT200100
GeneSiC Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

MBRT200100 - GeneSiC Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
MBRT200100
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-MBRT200100
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER
detaillierte Beschreibung
Verpackung
Three Tower
Datenblatt
MBRT20045 thru MBRT200100R.pdf
RoHS Status
RoHS-konform
vorrätig: 420

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Spezifikation

MBRT200100 Tech -Spezifikationen
GeneSiC Semiconductor - MBRT200100 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie GeneSiC Semiconductor - MBRT200100

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller GeneSiC Semiconductor  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 880 mV @ 100 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 100 V  
Technologie Schottky  
Supplier Device-Gehäuse Three Tower  
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse Three Tower  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C  
Befestigungsart Chassis Mount  
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 1 mA @ 20 V  
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 100A  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie GeneSiC Semiconductor MBRT200100.

Produkteigenschaften MBRT200100 MBRT12040 MBRS6040CT MBRT300200
Artikelnummer MBRT200100 MBRT12040 MBRS6040CT MBRT300200
Hersteller GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor Taiwan Semiconductor Corporation GeneSiC Semiconductor
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
Paket Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 880 mV @ 100 A 750 mV @ 60 A 1.05 V @ 60 A 920 mV @ 150 A
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 1 mA @ 20 V 1 mA @ 20 V 100 µA @ 40 V 1 mA @ 200 V
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 100A 60A 60A 150A
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Serie - - - -
Technologie Schottky Schottky Schottky Schottky
Supplier Device-Gehäuse Three Tower Three Tower TO-263AB (D²PAK) Three Tower
Verpackung / Gehäuse Three Tower Three Tower TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Three Tower
Spannung - Sperr (Vr) (max) 100 V 40 V 40 V 200 V
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Surface Mount Chassis Mount

MBRT200100 Datenblatt PDF

Laden Sie MBRT200100 PDF -Datenblätter und GeneSiC Semiconductor -Dokumentation für MBRT200100 - GeneSiC Semiconductor herunter.

Datenblätter
MBRT20045 thru MBRT200100R.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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