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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Gleichrichter-ArraysMBRT200150
GeneSiC Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

MBRT200150 - GeneSiC Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
MBRT200150
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-MBRT200150
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE SCHOTTKY 150V 100A 3 TOWER
detaillierte Beschreibung
Verpackung
Three Tower
Datenblatt
MBRT200150 thru MBRT200200R.pdf
RoHS Status
RoHS-konform
vorrätig: 488

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Anzahl

Spezifikation

MBRT200150 Tech -Spezifikationen
GeneSiC Semiconductor - MBRT200150 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie GeneSiC Semiconductor - MBRT200150

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller GeneSiC Semiconductor  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 880 mV @ 100 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 150 V  
Technologie Schottky  
Supplier Device-Gehäuse Three Tower  
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse Three Tower  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C  
Befestigungsart Chassis Mount  
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 1 mA @ 150 V  
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 100A  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie GeneSiC Semiconductor MBRT200150.

Produkteigenschaften MBRT200150 MBRT30020 MBRT20030 MBRT200100
Artikelnummer MBRT200150 MBRT30020 MBRT20030 MBRT200100
Hersteller GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
Serie - - - -
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 100A 150A 100A 100A
Paket Bulk Bulk Bulk Bulk
Verpackung / Gehäuse Three Tower Three Tower Three Tower Three Tower
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 1 mA @ 150 V 1 mA @ 20 V 1 mA @ 20 V 1 mA @ 20 V
Technologie Schottky Schottky Schottky Schottky
Supplier Device-Gehäuse Three Tower Three Tower Three Tower Three Tower
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 880 mV @ 100 A 750 mV @ 150 A 750 mV @ 100 A 880 mV @ 100 A
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Spannung - Sperr (Vr) (max) 150 V 20 V 30 V 100 V

MBRT200150 Datenblatt PDF

Laden Sie MBRT200150 PDF -Datenblätter und GeneSiC Semiconductor -Dokumentation für MBRT200150 - GeneSiC Semiconductor herunter.

Datenblätter
MBRT200150 thru MBRT200200R.pdf

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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