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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Gleichrichter-ArraysMUR10010CT
GeneSiC Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

MUR10010CT - GeneSiC Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
MUR10010CT
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-MUR10010CT
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE MODULE 100V 50A 2TOWER
detaillierte Beschreibung
Verpackung
Twin Tower
Datenblatt
MUR10005CT thru 10020CTR.pdf
RoHS Status
RoHS-konform
vorrätig: 580

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Anzahl

Spezifikation

MUR10010CT Tech -Spezifikationen
GeneSiC Semiconductor - MUR10010CT Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie GeneSiC Semiconductor - MUR10010CT

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller GeneSiC Semiconductor  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.3 V @ 50 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 100 V  
Technologie Standard  
Supplier Device-Gehäuse Twin Tower  
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 75 ns  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse Twin Tower  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C  
Befestigungsart Chassis Mount  
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 25 µA @ 50 V  
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 50A  
Grundproduktnummer MUR10010  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie GeneSiC Semiconductor MUR10010CT.

Produkteigenschaften MUR10010CT MUR1020CT MUR10005CT MUR10020CT
Artikelnummer MUR10010CT MUR1020CT MUR10005CT MUR10020CT
Hersteller GeneSiC Semiconductor Vishay General Semiconductor - Diodes Division GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor
Paket Bulk Tube Bulk Bulk
Technologie Standard Standard Standard Standard
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Befestigungsart Chassis Mount Through Hole Chassis Mount Chassis Mount
Serie - FRED Pt® - -
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.3 V @ 50 A 990 mV @ 5 A 1.3 V @ 50 A 1.3 V @ 50 A
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 75 ns 35 ns 75 ns 75 ns
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 50A 5A 50A 50A
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 25 µA @ 50 V 10 µA @ 200 V 25 µA @ 50 V 25 µA @ 50 V
Verpackung / Gehäuse Twin Tower TO-220-3 Twin Tower Twin Tower
Spannung - Sperr (Vr) (max) 100 V 200 V 50 V 200 V
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C -65°C ~ 175°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
Supplier Device-Gehäuse Twin Tower TO-220-3 Twin Tower Twin Tower
Grundproduktnummer MUR10010 MUR1020 - MUR10020

MUR10010CT Datenblatt PDF

Laden Sie MUR10010CT PDF -Datenblätter und GeneSiC Semiconductor -Dokumentation für MUR10010CT - GeneSiC Semiconductor herunter.

Datenblätter
MUR10005CT thru 10020CTR.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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