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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Gleichrichter-ArraysMUR10020CT
GeneSiC Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

MUR10020CT - GeneSiC Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
MUR10020CT
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-MUR10020CT
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE MODULE 200V 50A 2TOWER
detaillierte Beschreibung
Verpackung
Twin Tower
Datenblatt
MUR10005CT thru 10020CTR.pdf
RoHS Status
RoHS-konform
vorrätig: 468

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Anzahl

Spezifikation

MUR10020CT Tech -Spezifikationen
GeneSiC Semiconductor - MUR10020CT Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie GeneSiC Semiconductor - MUR10020CT

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller GeneSiC Semiconductor  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.3 V @ 50 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 200 V  
Technologie Standard  
Supplier Device-Gehäuse Twin Tower  
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 75 ns  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse Twin Tower  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C  
Befestigungsart Chassis Mount  
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 25 µA @ 50 V  
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 50A  
Grundproduktnummer MUR10020  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie GeneSiC Semiconductor MUR10020CT.

Produkteigenschaften MUR10020CT MUR1020CT MUR1020CT MUR10040CT
Artikelnummer MUR10020CT MUR1020CT MUR1020CT MUR10040CT
Hersteller GeneSiC Semiconductor Yangjie Technology Vishay General Semiconductor - Diodes Division GeneSiC Semiconductor
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tube Bulk
Spannung - Sperr (Vr) (max) 200 V 200 V 200 V 400 V
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Befestigungsart Chassis Mount Through Hole Through Hole Chassis Mount
Supplier Device-Gehäuse Twin Tower TO-220AB TO-220-3 Twin Tower
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 75 ns 35 ns 35 ns 90 ns
Verpackung / Gehäuse Twin Tower TO-220-3 TO-220-3 Twin Tower
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 50A 10A 5A 50A
Technologie Standard Standard Standard Standard
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 25 µA @ 50 V 10 µA @ 200 V 10 µA @ 200 V 25 µA @ 50 V
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.3 V @ 50 A 975 mV @ 5 A 990 mV @ 5 A 1.3 V @ 50 A
Grundproduktnummer MUR10020 - MUR1020 MUR10040
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -65°C ~ 175°C -55°C ~ 150°C
Serie - - FRED Pt® -

MUR10020CT Datenblatt PDF

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Datenblätter
MUR10005CT thru 10020CTR.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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