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GD25LD40CEIGR - GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Hersteller Artikelnummer
GD25LD40CEIGR
Hersteller
GigaDevice
Allelco Artikelnummer
32D-GD25LD40CEIGR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC FLSH 4MBIT SPI/DUAL I/O 8USON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-XFDFN Exposed Pad
Datenblatt
Product Selection Guide 2023.pdf
RoHS Status
vorrätig: 82500

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Anzahl

Spezifikation

GD25LD40CEIGR Tech -Spezifikationen
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited - GD25LD40CEIGR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie GigaDevice Semiconductor (HK) Limited - GD25LD40CEIGR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller GigaDevice  
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite 97µs, 6ms  
Spannungsversorgung 1.65V ~ 2V  
Technologie FLASH - NOR  
Supplier Device-Gehäuse 8-USON (2x3)  
Serie -  
Verpackung / Gehäuse 8-XFDFN Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Speichertyp Non-Volatile  
Speichergröße 4Mbit  
Speicherorganisation 512K x 8  
Speicherschnittstelle SPI - Dual I/O  
Speicherformat FLASH  
Uhrfrequenz 50 MHz  
Grundproduktnummer GD25LD40  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD40CEIGR.

Produkteigenschaften GD25LD40CEIGR GD25LE32DLIGR GD25LD20CEIGR GD25LD80CTIGR
Artikelnummer GD25LD40CEIGR GD25LE32DLIGR GD25LD20CEIGR GD25LD80CTIGR
Hersteller GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Speicherformat FLASH FLASH FLASH FLASH
Serie - - - -
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Speicherschnittstelle SPI - Dual I/O SPI - Quad I/O SPI - Dual I/O SPI - Dual I/O
Verpackung / Gehäuse 8-XFDFN Exposed Pad 21-XFBGA, WLSCP 8-XFDFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Speichertyp Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile
Uhrfrequenz 50 MHz 120 MHz 50 MHz 50 MHz
Grundproduktnummer GD25LD40 GD25LE32 GD25LD20 GD25LD80
Speicherorganisation 512K x 8 4M x 8 256K x 8 1M x 8
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Technologie FLASH - NOR FLASH - NOR FLASH - NOR FLASH - NOR
Speichergröße 4Mbit 32Mbit 2Mbit 8Mbit
Spannungsversorgung 1.65V ~ 2V 1.65V ~ 2V 1.65V ~ 2V 1.65V ~ 2V
Supplier Device-Gehäuse 8-USON (2x3) 21-WLCSP 8-USON (2x3) 8-SOP
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite 97µs, 6ms 2.4ms 97µs, 6ms 60µs, 6ms

GD25LD40CEIGR Datenblatt PDF

Laden Sie GD25LD40CEIGR PDF -Datenblätter und GigaDevice Semiconductor (HK) Limited -Dokumentation für GD25LD40CEIGR - GigaDevice Semiconductor (HK) Limited herunter.

Datenblätter
Product Selection Guide 2023.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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32D-GD25LD40CEIGR

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