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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)MemoryGD25WQ64ESIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

GD25WQ64ESIGR - GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Hersteller Artikelnummer
GD25WQ64ESIGR
Hersteller
GigaDevice
Allelco Artikelnummer
32D-GD25WQ64ESIGR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
64MBIT, 1.65V-3.6V, SOP8 208MIL,
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Datenblatt
Product Selection Guide 2023.pdf
RoHS Status
vorrätig: 34413

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Spezifikation

GD25WQ64ESIGR Tech -Spezifikationen
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited - GD25WQ64ESIGR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie GigaDevice Semiconductor (HK) Limited - GD25WQ64ESIGR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller GigaDevice  
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite 120µs, 4ms  
Spannungsversorgung 1.65V ~ 3.6V  
Technologie FLASH - NOR (SLC)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOP  
Serie -  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Speichertyp Non-Volatile  
Speichergröße 64Mbit  
Speicherorganisation 8M x 8  
Speicherschnittstelle SPI - Quad I/O  
Speicherformat FLASH  
Uhrfrequenz 104 MHz  
Zugriffszeit 12 ns  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ64ESIGR.

Produkteigenschaften GD25WQ64ESIGR GD25VE16CEIGR GD25WD80CTIG GD25S512MDYIGR
Artikelnummer GD25WQ64ESIGR GD25VE16CEIGR GD25WD80CTIG GD25S512MDYIGR
Hersteller GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Speichertyp Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) 8-XFDFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-WDFN Exposed Pad
Speicherformat FLASH FLASH FLASH FLASH
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Serie - - - -
Technologie FLASH - NOR (SLC) FLASH - NOR FLASH - NOR FLASH - NOR
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Speicherschnittstelle SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O
Zugriffszeit 12 ns - - -
Spannungsversorgung 1.65V ~ 3.6V 2.1V ~ 3.6V 1.65V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V
Supplier Device-Gehäuse 8-SOP 8-USON (2x3) 8-SOP 8-WSON (6x8)
Speicherorganisation 8M x 8 2M x 8 1M x 8 64M x 8
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Speichergröße 64Mbit 16Mbit 8Mbit 512Mbit
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite 120µs, 4ms - - 50µs, 2.4ms
Uhrfrequenz 104 MHz 104 MHz - 104 MHz

GD25WQ64ESIGR Datenblatt PDF

Laden Sie GD25WQ64ESIGR PDF -Datenblätter und GigaDevice Semiconductor (HK) Limited -Dokumentation für GD25WQ64ESIGR - GigaDevice Semiconductor (HK) Limited herunter.

Datenblätter
Product Selection Guide 2023.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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