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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelG1002L
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G1002L - Goford Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
G1002L
Hersteller
Goford Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-G1002L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
N100V,RD(MAX)<250M@10V,VTH1.2V~2
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
G1002L.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1340950

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Anzahl

Spezifikation

G1002L Tech -Spezifikationen
Goford Semiconductor - G1002L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Goford Semiconductor - G1002L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Goford Semiconductor  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3L  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 2A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.3W  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 413 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Goford Semiconductor G1002L.

Produkteigenschaften G1002L G1003A G1003B G100N04
Artikelnummer G1002L G1003A G1003B G100N04
Hersteller Goford Semiconductor Goford Semiconductor Goford Semiconductor Goford Semiconductor
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V 18.2 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V -
Serie - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 413 pF @ 50 V 622 pF @ 25 V 760 pF @ 50 V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A 3A (Tc) 3A -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 2A, 10V 210mOhm @ 3A, 10V 130mOhm @ 1A, 10V -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 3V @ 250µA 2V @ 250µA -
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3L SOT-23-3 SOT-23-3L -
Verlustleistung (max) 1.3W 5W (Tc) 3.3W -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V -

G1002L Datenblatt PDF

Laden Sie G1002L PDF -Datenblätter und Goford Semiconductor -Dokumentation für G1002L - Goford Semiconductor herunter.

Datenblätter
G1002L.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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