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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelG1003B
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G1003B - Goford Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
G1003B
Hersteller
Goford Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-G1003B
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
N100V,RD(MAX)<170M@10V,RD(MAX)<1
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
G1003B.pdf
RoHS Status
vorrätig: 721600

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Anzahl

Spezifikation

G1003B Tech -Spezifikationen
Goford Semiconductor - G1003B Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Goford Semiconductor - G1003B

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Goford Semiconductor  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3L  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 1A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.3W  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Goford Semiconductor G1003B.

Produkteigenschaften G1003B G1002L G1003A G1040A1
Artikelnummer G1003B G1002L G1003A G1040A1
Hersteller Goford Semiconductor Goford Semiconductor Goford Semiconductor
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 1A, 10V 250mOhm @ 2A, 10V 210mOhm @ 3A, 10V -
Verlustleistung (max) 3.3W 1.3W 5W (Tc) -
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3L SOT-23-3L SOT-23-3 -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V 18.2 nC @ 10 V -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A 2A 3A (Tc) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 50 V 413 pF @ 50 V 622 pF @ 25 V -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 3V @ 250µA -
Serie - - - -

G1003B Datenblatt PDF

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Datenblätter
G1003B.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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