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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Gleichrichter-ArraysDCG100X1200NA
IXYS
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DCG100X1200NA - IXYS

Hersteller Artikelnummer
DCG100X1200NA
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-DCG100X1200NA
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE MOD SCHOTTKY 1200V SOT227B
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
DCG100X1200NA.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3790

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Anzahl

Spezifikation

DCG100X1200NA Tech -Spezifikationen
IXYS - DCG100X1200NA Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - DCG100X1200NA

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.8 V @ 50 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 1200 V  
Technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)  
Serie -  
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 0 ns  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Betriebstemperatur - Anschluss -40°C ~ 175°C  
Befestigungsart Chassis Mount  
Diodenkonfiguration 2 Independent  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 500 µA @ 1200 V  
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 49A  
Grundproduktnummer DCG100  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS DCG100X1200NA.

Produkteigenschaften DCG100X1200NA BAS40-05 MMBD1204 DCG130X1200NA
Artikelnummer DCG100X1200NA BAS40-05 MMBD1204 DCG130X1200NA
Hersteller IXYS Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd onsemi IXYS
Grundproduktnummer DCG100 BAS40 MMBD12 DCG130
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-227-4, miniBLOC
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 49A 200mA (DC) 200mA 64A
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 0 ns 5 ns 4 ns 0 ns
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B SOT-23 SOT-23-3 SOT-227B
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 500 µA @ 1200 V 200 nA @ 30 V 50 nA @ 50 V 800 µA @ 1200 V
Spannung - Sperr (Vr) (max) 1200 V 40 V 100 V 1200 V
Technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky Schottky Standard SiC (Silicon Carbide) Schottky
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.8 V @ 50 A 1 V @ 40 mA 1 V @ 200 mA 1.8 V @ 60 A
Betriebstemperatur - Anschluss -40°C ~ 175°C 125°C (Max) 150°C (Max) -40°C ~ 175°C
Serie - - - -
Befestigungsart Chassis Mount Surface Mount Surface Mount Chassis Mount
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Diodenkonfiguration 2 Independent 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 2 Independent

DCG100X1200NA Datenblatt PDF

Laden Sie DCG100X1200NA PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für DCG100X1200NA - IXYS herunter.

Datenblätter
DCG100X1200NA.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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