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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Gleichrichter-ArraysDCG85X1200NA
IXYS
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DCG85X1200NA - IXYS

Hersteller Artikelnummer
DCG85X1200NA
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-DCG85X1200NA
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE MOD SCHOTTKY 1200V SOT227B
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
DCG85X1200NA.pdf
RoHS Status
vorrätig: 249

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Spezifikation

DCG85X1200NA Tech -Spezifikationen
IXYS - DCG85X1200NA Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - DCG85X1200NA

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.8 V @ 40 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 1200 V  
Technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)  
Serie -  
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 0 ns  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Betriebstemperatur - Anschluss -40°C ~ 175°C  
Befestigungsart Chassis Mount  
Diodenkonfiguration 2 Independent  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 400 µA @ 1200 V  
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 43A  
Grundproduktnummer DCG85  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS DCG85X1200NA.

Produkteigenschaften DCG85X1200NA V50100P-E3/45 DA6X101K0R DCG100X1200NA
Artikelnummer DCG85X1200NA V50100P-E3/45 DA6X101K0R DCG100X1200NA
Hersteller IXYS Vishay General Semiconductor - Diodes Division Panasonic Electronic Components IXYS
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 400 µA @ 1200 V 1 mA @ 100 V 100 nA @ 80 V 500 µA @ 1200 V
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.8 V @ 40 A 780 mV @ 25 A 1.2 V @ 100 mA 1.8 V @ 50 A
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B TO-247AD (TO-3P) Mini6-G4-B SOT-227B
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 43A 25A 100mA (DC) 49A
Betriebstemperatur - Anschluss -40°C ~ 175°C -40°C ~ 150°C 150°C (Max) -40°C ~ 175°C
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 0 ns - 3 ns 0 ns
Diodenkonfiguration 2 Independent 1 Pair Common Cathode 3 Independent 2 Independent
Befestigungsart Chassis Mount Through Hole Surface Mount Chassis Mount
Serie - TMBS® - -
Grundproduktnummer DCG85 V50100 DA6X101 DCG100
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC TO-3P-3, SC-65-3 SOT-23-6 SOT-227-4, miniBLOC
Spannung - Sperr (Vr) (max) 1200 V 100 V 80 V 1200 V
Technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky Schottky Standard SiC (Silicon Carbide) Schottky

DCG85X1200NA Datenblatt PDF

Laden Sie DCG85X1200NA PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für DCG85X1200NA - IXYS herunter.

Datenblätter
DCG85X1200NA.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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