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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysFMK75-01F
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FMK75-01F - IXYS

Hersteller Artikelnummer
FMK75-01F
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-FMK75-01F
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 100V 75A I4-PAC-5
detaillierte Beschreibung
Verpackung
i4-Pac™-5
Datenblatt
FMK 75-01F.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4520

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Anzahl

Spezifikation

FMK75-01F Tech -Spezifikationen
IXYS - FMK75-01F Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - FMK75-01F

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ISOPLUS i4-PAC™  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 50A, 10V  
Leistung - max -  
Verpackung / Gehäuse i4-Pac™-5  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds -  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer FMK75  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS FMK75-01F.

Produkteigenschaften FMK75-01F FDS9953A IRF9362PBF NDS9953A
Artikelnummer FMK75-01F FDS9953A IRF9362PBF NDS9953A
Hersteller IXYS onsemi Infineon Technologies Fairchild Semiconductor
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Bulk
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 50A, 10V 130mOhm @ 1A, 10V 21mOhm @ 8A, 10V 130mOhm @ 1A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA 3V @ 250µA 2.4V @ 25µA 2.8V @ 250µA
Grundproduktnummer FMK75 FDS99 IRF9362 NDS995
Serie HiPerFET™ PowerTrench® HEXFET® -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds - 185pF @ 15V 1300pF @ 25V 350pF @ 10V
Supplier Device-Gehäuse ISOPLUS i4-PAC™ 8-SOIC 8-SO 8-SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A 2.9A 8A 2.9A
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Leistung - max - 900mW 2W 900mW
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V 30V 30V 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V 3.5nC @ 10V 39nC @ 10V 25nC @ 10V
Verpackung / Gehäuse i4-Pac™-5 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

FMK75-01F Datenblatt PDF

Laden Sie FMK75-01F PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für FMK75-01F - IXYS herunter.

Datenblätter
FMK 75-01F.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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